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科技是社會發(fā)展的核心，芯片是當代電子科技的生命。
“乾坤日月當依舊，昨夜今朝卻異同”，如今的我們生活高速發(fā)展的信息時代。便捷的手機、飛速的交通、智能的生活，一切都與百年前的生活大相徑庭，
這些巨大的飛躍都來自于芯片技術的發(fā)展。
小小的一塊芯片上承載了數以億計的晶體管，通過這些集成電路來進行運算和存儲，主宰著電子世界。它們被廣泛應用于信息、軍事、消費等方面，代表著一個國家最先進的科技水平。
在當下的信息時代，掌握著先進的芯片技術，不僅意味著擁有更好的發(fā)展機會，更意味著擁有世界話語權，各個國家都以芯片產業(yè)為科技發(fā)展的重中之重。
芯片的重要性與日俱增，而我國也出臺了許多的支持政策，大力推動了芯片行業(yè)的發(fā)展。
然而從我國芯片行業(yè)的現狀來看，先進技術國的壓制、研發(fā)技術的相對滯后、需求的暴增......這些都標示著中國芯片仍然在面臨著困境。
事實上，中國已經在芯片行業(yè)上走了很長的時間，從20世紀中期到現在，中國芯片在逐漸崛起。
回顧中國芯片的發(fā)展歷程，每一個艱難的腳步都是在打基礎，我們從來沒有停止過對超國際水平的追趕，獲得了很多寶貴的經驗。
中國芯片的發(fā)展階段大致可以分為三個階段：探索起步階段、初步發(fā)展階段和轉型創(chuàng)新期。
（一）探索起步階段
1956年至1978年，中國的芯片產業(yè)在學習和摸索中慢慢起步。這一時期，全世界的芯片產業(yè)大致都處于同一階段。
1954年，美國最早制造出硅合金晶體管，打開了芯片半導體的新世界。為了追趕國外的半導體科學，我國于1956年把電子元件的研究納入國家的四大緊急措施之列。
1958年，第一個集成電路在美國的實驗室初現雛形；一年后，美國創(chuàng)新出了平面光刻技術，晶體管從雙極體跨入了平面型；
在60年代，貝爾實驗室研制出了單晶技術、仙童半導體用平面工藝解決了集成電路的連接問題。
20世紀研發(fā)的晶體管
美國的半導體工業(yè)從起步開始，在十年之間站穩(wěn)了腳跟，作為世界上最早擁有批次生產能力的國家，美國開拓了芯片制造的前沿。
在這一時期，英特爾、AMD等公司也成立起來，成為世界芯片制造的領袖。
看著美國的快速發(fā)展，我國的科學家奮力直追。
1958年，北京電子管廠研制出硅合金晶體管；
1963年，中國科學院半導體研究所研制成平面管；
1975年，北京大學物理系設計出我國第一批三種類型的1Kb DRAM動態(tài)隨機存儲器，標志著我國擁有了獨立制造內存芯片的技術。
這一階段中，國家主導半導體產業(yè)的研究，大批的研究機構和電子廠投入建設，對研發(fā)和生產實行兩手抓的策略；
國內的半導體成品主要是開發(fā)邏輯電路，應用在軍工服務和計算機制造方面；初步擁有了集成電路產業(yè)，也為中國建立了一套橫跨院所和高校的半導體人才培養(yǎng)體系。
受到時代環(huán)境的制約，我國的半導體產業(yè)受國家管制，應用范圍有限，民用和走入市場的領域一片空白。在集中管理之下，我國的芯片制造在開始時，就缺少了歐美國家競爭下的多樣制造。
進入改革開放之后，中國的芯片產業(yè)迎來了初步發(fā)展。
在國家的支持下，1982年，“電子計算機和大規(guī)模集成電路領導小組”成立，1985年，中興半導體成立，致力于獨立研發(fā)新的芯片技術。
面對國外電子市場的沖擊，為了提高國營芯片企業(yè)的效益、促進芯片行業(yè)的發(fā)展，國家提出了“531戰(zhàn)略”、“908工程”、“909工程”等科研戰(zhàn)略，致力于在具體的芯片分化領域有所進展。
除此之外，國家還牽頭引入了國外的生產線，學習國外的技術。
然而由于芯片技術的快速更迭以及高要求，這一策略并沒有達到很好的效果，只有少數的企業(yè)抓住了機遇，成為了第一批芯片生產的幸運兒。
對于發(fā)展條件不足的民營企業(yè)，他們依托國內的低價成本，承接了門檻較低的封裝產業(yè)，在學習技術的同時進行利潤積累，在下游產業(yè)鏈中占據了一壁江山。
原本在這些條件的助力下，距離中國芯片接軌國際水平的目標更進一步。但事與愿違，全球芯片產業(yè)的裂變與分工細化打得我們措手不及。
在80年代，國外的芯片企業(yè)出現了兩種裂變——主攻軟件和專注硬件，微軟和英特爾作為兩個方向的領頭羊，選擇以合作的方式入手全球市場。
一時之間，便宜好用的芯片大量涌入，將國營芯片企業(yè)的受眾瓜分殆盡。
而在后續(xù)的分工過程中，ARM和臺積電又分別占據了芯片生產代工和IP核授權的先機，將芯片產業(yè)擴展為設計、生產、封裝的不同產業(yè)鏈。
國外的企業(yè)有了更多入局芯片產業(yè)的機會，領域的細分也提供了高效專注某一方向技術的可能。
在這樣的背景下，我國芯片產業(yè)在初步發(fā)展時期就受到了很大的沖擊。原本在第一階段的五年差距立馬擴大了，國內外的發(fā)展鴻溝很快就橫亙而出。
雪上加霜的是，我國的研發(fā)雖然一直在進行，但卻始終觸碰不到先進技術；西方國家對于生產的保護與壟斷，使得中國人才無處可學，只能閉門造車，自行研發(fā)可用的技術。
在20世紀的前夕，我國的芯片產業(yè)迎來了轉型發(fā)展的機遇。
1999年，我國提出了“星光中國芯工程”，號召學習了海外先進技術的科學家和愛國企業(yè)家一同開拓芯片產業(yè)。
中星微電子公司在中關村扎根，建立了數字多媒體芯片技術實驗室，致力于芯片的研發(fā)和設計。
2001年，“星光一號”在北京誕生，我國擁有了第一顆百萬門級超大規(guī)模數字多媒體芯片，結束了沒有芯片的歷史。
“星光一號”不僅在國內得到了好的反響，更是被多個國外知名品牌采用，受到了蘋果、飛利浦、戴爾、索尼等品牌的認可。
同一時期，中芯國際、華為海思等企業(yè)也成立了，民企成為了中國芯片研制的主力軍，發(fā)展勢頭猛烈。
星光一號升級版——“星光智能一號”中國芯片產業(yè)搭上了騰飛的時代，一時之間發(fā)展迅速。
好景不長，由于風頭過盛，中國芯片產業(yè)受到了國際芯片巨頭的防備與打壓，諸如產權訴訟、壟斷打壓的事件層出不窮。
此外，“漢芯”造假事件騙取了大量的科研經費，引起了國家對民企不規(guī)范行為的制裁，對不少民企造成了影響。
這些讓大家看到了在發(fā)展機遇之下蘊含著的風險，因此積極尋找對策來解決問題。
2015年，國家出臺政策，設立芯片研制產業(yè)基金，對考察合格的優(yōu)質公司進行扶持。
這一決策讓真正有實力的人才和企業(yè)有了發(fā)揮的舞臺，芯片產業(yè)形成了良性的市場競爭，推動了我國的芯片產業(yè)創(chuàng)新。
近幾年，我國的芯片研發(fā)趨勢向好，不僅研發(fā)出了全球首顆嵌入式，神經網絡處理器人工智能芯片——“星光智能一號”，推動了我國進入智能時代；
還提出了智能摩爾之路，從人腦機制的啟發(fā)中，找到了芯片的三維轉型方向。
可以說，中國芯片在20世紀真正開始崛起了。
中國芯片集成板不過，即使在芯片設計和制造方面有所突破，但在芯片的生產上，我們至今也仍然依靠著國外的光刻機，并且在高端芯片制造上，依舊在追趕國外的先進技術。
也就是說，我國的芯片產業(yè)鏈發(fā)展不平衡，在例如晶圓代工的環(huán)節(jié)中，技術上依然存在缺陷，亟待提升；且高端技術掌握程度不高，對進口芯片的依賴很大。
而在過去幾十年的發(fā)展歷史中，芯片產業(yè)已經形成了分化細致的全球網絡，在任何一個環(huán)節(jié)的不足都會造成滯后。
盡管我國的企業(yè)在努力占據各個細化環(huán)節(jié)，中國芯片還是在很多方面也受到了制約。
隨著我國的芯片技術快速前進，以美國為代表的資本國家開始對中國芯片企業(yè)圍追堵截，中興和華為先后受到了一系列制裁，芯片產業(yè)的制造交流也對中國關上了大門，中國的芯片科技受到了全面打壓。
看懂芯片承載的未來后，我國政府和企業(yè)正在齊心協力，共同解決中國芯片制造高端技術缺失和產業(yè)鏈不完整的問題。
中國芯片遇到了新的危機，但在崛起之路上，我們依然在勇往直前。
芯片制造大致有5個主要環(huán)節(jié)，生產流程是以電路設計為主導，由芯片設計公司設計出芯片，然后委托芯片制造廠生產晶圓，再委托封裝廠進行芯片封裝、測試。
目前，中國芯片產業(yè)占據了全球市場規(guī)模的三分之一，隨著5G時代的到來，產業(yè)規(guī)模還將進一步擴大。
國內的芯片產業(yè)分布已形成地域規(guī)模，圍繞北京、長三角、珠三角等多個中心發(fā)展。
在具體的芯片制造流程中，我國在系統(tǒng)方面擁有自主研發(fā)的鴻蒙系統(tǒng)；
在設計方面擁有近2000家設計公司，海思和紫光集團占據了全球前十的兩個席位；
在封裝、測試方面勢頭強勁，長電科技、華天科技、通富微電長期位列全球前十。
而以上分化環(huán)節(jié)之外，我國的芯片產業(yè)目前還存在許多不足。在晶圓代工方面，我國僅僅在早期的工藝上達到了成熟，在細微新工藝上，依舊在追趕臺積電公司；
在制造產業(yè)方面，我國的芯片制造還較為滯后，與設計、封測相比，所占的比例相比還很低；在設計IP方面，我國的生態(tài)系統(tǒng)建設也進展頗慢，正在等待技術革新。
總而言之，中國芯片在生態(tài)和制造環(huán)節(jié)存在很大的不足，面臨著的頭號挑戰(zhàn)正是芯片的制造問題。造成這一局面的原因有多重。
第一、芯片的制造流程脫節(jié)
一片芯片的誕生是涵蓋芯片設計、硅片制造、晶圓制造、電子封裝、基板互聯、儀器設備組裝等多重流程的復雜工藝，每一個環(huán)節(jié)都在生產中占據著重要的作用。
我國的圓晶制造至今依靠引進國外的光刻機，關鍵的高頻射頻元器件、化合物半導體等也都需要進口，高端的制造工藝還存在空白，對高端芯片的進口需求極大，與其他環(huán)節(jié)嚴重脫節(jié)。
第二，芯片的制造技術落后
除了設計需要創(chuàng)新，芯片制造也有高標準。
材料、工廠環(huán)境、設備等，都對芯片的成品有直接的影響。芯片是人類目前最頂尖科技水平在材料上的體現之一，國內的相關技術還難以支持優(yōu)質產品的制造，與國際先進水平差距較大。
我國目前最先進的制程技術還停留在對第一代14 nm的FinFET技術的重大進展，對更為先進的工藝還未觸及，甚至很多設備都依賴進口；
而最先進的工藝已經發(fā)展到5nm了，與我國形成了巨大的鴻溝。
第三、芯片的制造成本高
芯片制造具有前期投入大、生產周期長、研發(fā)費用大的特點，投入金額一般以億為單位；如此高昂的造價，還需要面對研發(fā)困境和市場風險，成功的企業(yè)往往要付出超出預期的成本。
第四，外國壟斷制裁影響大。為了壓制中國的綜合實力，將核心科技壟斷在自己手中，西方資本國家一直對中國的芯片產業(yè)進行封鎖。
2018年，中興企業(yè)受到封鎖，2019年，華為芯片徹底斷供。只要中國芯片有技術上的突破，就會被這些國家使用何種借口訴訟，阻止中國芯片的進一步發(fā)展，以達到維護他們的壟斷地位的目的。
2017年全球芯片行業(yè)十大公司排名，除了臺積電中國臺灣晶圓代工，中國的芯片公司無一上榜。
作為世界上最大的芯片消費市場，我國的芯片市場交易額高達五千億，本土生產的芯片僅占據了10%左右的比例。重要的市場和核心的技術依然被發(fā)達國家掌控。
中國芯片雖然積累了一些經驗，也有了向好的發(fā)展趨勢，但也需要找對方向，從核心要點入手，提升自身的技術，這樣才能真正站起來。
《中國制造2025》提出，2025年我國芯片自給率要達到50％。
工信部提出的相關實施方案則提出，10年內力爭實現70%芯片自主保障且部分達到國際領先水平。這意味著國家依舊會給予芯片產業(yè)最大程度的支持。
事實上，我國的企業(yè)在自主研發(fā)的同時也在走互幫互助的路線，華為、紫光、中興等27家企業(yè)成立了“中國高端芯片聯盟”，合作追趕世界先進水平，我國的芯片專利數量已經有了可喜的增長。
從眼下來看，只有認清不足之處、完善相關的保障、提出替代方案，才能解決當前的困境；而從長久考慮，需要完善產業(yè)鏈建設、通過創(chuàng)新研發(fā)能力、培養(yǎng)人才儲備，才能取得中國芯片的勝利。
首先，中國芯片在設計和封測環(huán)節(jié)已經取得了較好的發(fā)展成果，但制造環(huán)節(jié)仍有發(fā)展空間。近年來，芯片設計領域異軍突起，在整個行業(yè)中貢獻同比增長最快；
封測產業(yè)具備規(guī)模和技術基礎，基本已掌握最先進的技術；而制造所需的光刻機依舊依賴進口，因此，必須把握核心，對制造產業(yè)進行重點突破。
其次，制定芯片生產備份方案，對于受到國外壟斷的重要設備和零部件，需要事無巨細的考慮，解決好生產環(huán)節(jié)中的后顧之憂。對高端的機床、儀器、芯片等等，都要保障生產順利進行。
再者，要保障芯片產業(yè)鏈的連續(xù)性。
做到芯片設計、制備工藝、制造、封裝測試等領域突破“卡脖子”技術，不斷完善產業(yè)生態(tài)，提升產業(yè)鏈核心競爭力和控制力。
最后，也是重中之重的部分，要切實提高自主創(chuàng)新能力、增大人才儲備。打鐵還需自身硬，中國芯片目前遇到的難題，歸根結底都是源于我國的芯片技術落后、可用之人不足。
只有掌握先進技術、培養(yǎng)可靠人才，加快關鍵設備的生產技術、提高儀器精度、建立獨立的研發(fā)體系，才能盡快實現中國人制造中國芯，打破受制于人的局面。
隨著5G和AI的興起，中國迎來了新的發(fā)展機遇。
盡管眼下中國芯片的發(fā)展遇到了阻礙，但回顧中國芯片的發(fā)展歷程，這條崛起之路從來都不是一帆風順的。
所有的機遇都與挑戰(zhàn)相伴，如果上世紀沒有舉步維艱的困境，或許我國的核彈和原子彈也不會很快的制造出來。
同理，中國的絕大多數科技都是在曲折中摸索出來的，今天的芯片產業(yè)也不是我們遇到的首次挫折了。
從之前積累的經驗和當時對于時局的思考中，中國芯片面臨的問題已經顯而易見了，需要做的就是緊抓制造不足進行突破。
雄關漫道真如鐵，而今邁步從頭越。如今遇到的問題只是暫時的阻礙，國家和企業(yè)都已經用行動表明了攀越的決心，中國芯片的崛起已然在路上了。